গবেষকরা ইলেক্ট্রনের কাইরালিটির উপর ভিত্তি করে, একটি অ-চৌম্বকীয় পদার্থের টপোলজিক্যাল ব্যান্ডের কোয়ান্টাম জ্যামিতি ব্যবহার করে ইলেক্ট্রন পৃথক করার একটি নতুন পদ্ধতি তৈরি করেছেন। কাইরালিটি হলো স্পিন দিকের সাথে সম্পর্কিত একটি বৈশিষ্ট্য। সম্প্রতি নেচার পত্রিকায় প্রকাশিত এই যুগান্তকারী আবিষ্কারটি, বিপরীত ফার্মিওনিক কাইরালিটির স্রোতগুলির স্থানিক পৃথকীকরণ এবং তাদের পরবর্তী কোয়ান্টাম ইন্টারফারেন্সের সুযোগ দেয়, তাও আবার চৌম্বক ক্ষেত্র বা চৌম্বকীয় ডোপ্যান্টের প্রয়োজন ছাড়াই, যা সাধারণত এই ধরনের কারসাজির জন্য দরকার হয়।

গবেষণা দলটি, যাদের সদস্যরা একাধিক প্রতিষ্ঠানের সাথে যুক্ত, তারা একক-ক্রিস্টাল PdGa থেকে তৈরি ডিভাইস ব্যবহার করে এই ঘটনাটি প্রদর্শন করেছেন, যা তিনটি বাহুযুক্ত জ্যামিতিতে গঠিত। এই অনন্য নকশাটি কাইরাল ফার্মিওনগুলির কোয়ান্টাম-জ্যামিতি-প্ররোচিত অস্বাভাবিক বেগগুলির সুবিধা নেয়, যার ফলে একটি অ-লিনিয়ার হল প্রভাব তৈরি হয়। এই প্রভাবের কারণে বিপরীতমুখী অস্বাভাবিক বেগ সম্পন্ন তির্যক কাইরাল স্রোতগুলি স্থানিকভাবে ডিভাইসের বাইরের বাহুগুলিতে পৃথক হয়ে যায়।

[প্রধান গবেষকের নাম], [বিশ্ববিদ্যালয়/প্রতিষ্ঠানের গবেষকের পদ] বলেন, "এটি ইলেক্ট্রন প্রবাহ নিয়ন্ত্রণের সম্পূর্ণ নতুন উপায়। উপাদানের অন্তর্নিহিত কোয়ান্টাম বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করে, আমরা এমনভাবে ইলেক্ট্রনকে কাজে লাগাতে পারি যা আগে শুধুমাত্র শক্তিশালী চৌম্বক ক্ষেত্র দিয়েই সম্ভব ছিল।"

এই আবিষ্কারের তাৎপর্য হলো ইলেকট্রনিক এবং স্পিনট্রনিক ডিভাইসগুলিতে বিপ্লব ঘটানোর সম্ভাবনা। কাইরাল ফার্মিওনগুলিকে কাজে লাগানোর বর্তমান পদ্ধতিগুলি প্রায়শই উচ্চ চৌম্বক ক্ষেত্রের উপর নির্ভরশীল, যা শক্তি-intensive এবং ডিভাইসের miniaturization-কে সীমিত করতে পারে। নতুন পদ্ধতিটি আরও বেশি দক্ষ এবং পরিমাপযোগ্য বিকল্প সরবরাহ করে।

টপোলজিক্যাল সেমিমেটাল, যে শ্রেণীর পদার্থ এই গবেষণায় ব্যবহৃত হয়েছে, তা টপোলজিক্যাল ব্যান্ড ক্রসিংগুলিতে বিপরীত কাইরালিটির ফার্মিওন ধারণ করে। এই উপাদানগুলি তাদের অনন্য ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্যের কারণে সাম্প্রতিক বছরগুলিতে উল্লেখযোগ্য মনোযোগ আকর্ষণ করেছে। দলটির উদ্ভাবন এই উপাদানগুলির কোয়ান্টাম জ্যামিতি ব্যবহার করে কাইরালিটি অনুসারে ফার্মিওনগুলিকে পৃথক চের্ন-নম্বর-পোলারাইজড অবস্থায় ফিল্টার করার ক্ষমতার মধ্যে নিহিত। চের্ন নম্বর হলো একটি টপোলজিক্যাল ইনভেরিয়েন্ট যা ইলেকট্রনিক ব্যান্ড স্ট্রাকচারকে চিহ্নিত করে।

স্থানিকভাবে পৃথকীকৃত কাইরাল স্রোতগুলি বিপরীত চিহ্নের অরবিটাল ম্যাগনেটাইজেশনও বহন করে, যা নিয়ন্ত্রণ এবং সম্ভাব্য অ্যাপ্লিকেশনগুলির আরেকটি স্তর যুক্ত করে। দলটি এই কাইরাল স্রোতগুলির মেসোস্কোপিক ফেজ কোহেরেন্স পর্যবেক্ষণ করেছে, যা তাদের পদ্ধতির কার্যকারিতা আরও নিশ্চিত করে।

[সহ-লেখকের নাম], [বিশ্ববিদ্যালয়/প্রতিষ্ঠানের সহ-লেখকের পদ] ব্যাখ্যা করেন, "চৌম্বক ক্ষেত্র ছাড়াই কাইরাল স্রোতগুলিকে পৃথক এবং নিয়ন্ত্রণ করার ক্ষমতা নতুন ধরনের ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য উত্তেজনাপূর্ণ সম্ভাবনা উন্মোচন করে। আমরা কোয়ান্টাম কম্পিউটিং, স্পিনট্রনিক্স এবং সেন্সরগুলির মতো ক্ষেত্রগুলিতে এর প্রয়োগের কথা ভাবছি।"

গবেষকরা বর্তমানে ডিভাইসের নকশা অপ্টিমাইজ করার জন্য এবং অনুরূপ কোয়ান্টাম জ্যামিতিক বৈশিষ্ট্যযুক্ত অন্যান্য উপকরণ অনুসন্ধানের জন্য কাজ করছেন। তারা বিশ্বাস করেন যে এই পদ্ধতিটি অন্যান্য টপোলজিক্যাল উপকরণগুলিতেও প্রসারিত করা যেতে পারে, যা কোয়ান্টাম জ্যামিতির উপর ভিত্তি করে তৈরি ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির একটি নতুন প্রজন্মের পথ প্রশস্ত করবে। কর্মক্ষমতা বাড়ানোর জন্য এবং সম্ভাব্য অ্যাপ্লিকেশনগুলি অন্বেষণ করার জন্য পরবর্তী পদক্ষেপগুলির মধ্যে রয়েছে উপাদানের বৈশিষ্ট্যগুলির আরও তদন্ত এবং ডিভাইস অপ্টিমাইজেশন।